- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Вообичаени причини за оштетување на основната плоча
2022-04-26
1 Анализа на причините за оштетување на процесорот
Оштетувањето на вградениот процесор на основната плоча е проблем на кој мора да се обрне внимание при процесот на користење на основната плоча за секундарен развој. Тоа главно ги вклучува (но не е ограничено на) следниве ситуации:
(1) Hot-swap периферни уреди или надворешни модули со вклучено напојување, што предизвикува оштетување на вградениот процесор на основната плоча.
(2) Кога користите метални предмети за време на процесот на отстранување грешки, IO ќе биде под влијание на електричен стрес поради лажен допир, што ќе резултира со оштетување на IO, или допирање на некои компоненти на плочата ќе предизвика моментален краток спој со земјата, што ќе предизвика поврзани кола и основни табли. Оштетен процесор.
(3) Користете ги прстите за директно допирање на перничињата или игличките на чипот за време на процесот на дебагирање, а статичкиот електрицитет на човечкото тело може да го оштети вградениот процесор на основната плоча.
(4) Постојат неразумни места во дизајнот на самопроизведената плинтула, како што се неусогласеност на нивоата, прекумерна струја на оптоварување, прескокнување или потфрлање итн., што може да предизвика оштетување на вградениот процесор на основната плоча.
(5) За време на процесот на дебагирање, постои дебагирање на жици на периферниот интерфејс. Инсталирањето е погрешно или другиот крај на жиците е во воздух кога допира други спроводливи материјали, а жиците на IO не се во ред. Тој е оштетен од електричен стрес, што резултира со оштетување на вградениот процесор на основната плоча.
2 Анализа на причините за оштетување на процесорот IO
(1) Откако процесорот IO е краток спој со напојување поголемо од 5V, процесорот се загрева ненормално и се оштетува.
(2) Направете празнење на контактот ±8KV на процесорот IO, и процесорот веднаш се оштетува.
Оштетувањето на вградениот процесор на основната плоча е проблем на кој мора да се обрне внимание при процесот на користење на основната плоча за секундарен развој. Тоа главно ги вклучува (но не е ограничено на) следниве ситуации:
(1) Hot-swap периферни уреди или надворешни модули со вклучено напојување, што предизвикува оштетување на вградениот процесор на основната плоча.
(2) Кога користите метални предмети за време на процесот на отстранување грешки, IO ќе биде под влијание на електричен стрес поради лажен допир, што ќе резултира со оштетување на IO, или допирање на некои компоненти на плочата ќе предизвика моментален краток спој со земјата, што ќе предизвика поврзани кола и основни табли. Оштетен процесор.
(3) Користете ги прстите за директно допирање на перничињата или игличките на чипот за време на процесот на дебагирање, а статичкиот електрицитет на човечкото тело може да го оштети вградениот процесор на основната плоча.
(4) Постојат неразумни места во дизајнот на самопроизведената плинтула, како што се неусогласеност на нивоата, прекумерна струја на оптоварување, прескокнување или потфрлање итн., што може да предизвика оштетување на вградениот процесор на основната плоча.
(5) За време на процесот на дебагирање, постои дебагирање на жици на периферниот интерфејс. Инсталирањето е погрешно или другиот крај на жиците е во воздух кога допира други спроводливи материјали, а жиците на IO не се во ред. Тој е оштетен од електричен стрес, што резултира со оштетување на вградениот процесор на основната плоча.
2 Анализа на причините за оштетување на процесорот IO
(1) Откако процесорот IO е краток спој со напојување поголемо од 5V, процесорот се загрева ненормално и се оштетува.
(2) Направете празнење на контактот ±8KV на процесорот IO, и процесорот веднаш се оштетува.
Користете го запчаникот за вклучување-исклучување на мултиметарот за да ги измерите портите на процесорот кои беа краток спој од напојувањето од 5V и оштетени од ESD. Утврдено е дека IO бил краток спој со GND на процесорот, а доменот за напојување поврзан со IO исто така бил краток спој со GND.
Претходна:Дизајн на основната табла
